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              半導體制造工藝中常見的5類電子混合氣體介紹

              2021-03-04 10:27:17    責任編輯: 系統工程設計安裝公司     0

              昨天咱們給大家介紹了半導體超高純電子特氣系統中的電子混合氣,了解到它是特種氣體中的重要組成部分,電子混合氣體廣泛用于大規模集成電路(L.S.I)超大規模集成電路(V.L.S.I)和半導體器件生產制造中。



              今天給大家介紹一下運用最多,也最為常見的5類電子混合氣體:


              1、摻雜混合氣體

              在半導體器件和集成電路制造中,將某些雜質摻入半導體材料內,使材料具有所需要的導電類型和一定的電阻率,以制造電阻、PN 結、埋層等。摻雜工藝所用的氣體稱為摻雜氣。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼和乙硼烷等。通常將摻雜源與運載氣體(如氬氣和氮氣)在源柜中混合,混合后氣流連續注入擴散爐內并環繞晶片四周,在晶片表面沉積上摻雜劑,進而與硅反應生成摻雜金屬而徙動進入硅。


              2、外延生長混合氣體

              外延生長是一種單晶材料淀積并生產在襯底表面上的過程,在半導體工業中,在仔細選擇的襯底上選用化學氣相淀積的方法,生長一層或多層材料所用的氣體叫作外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀積,多晶硅淀積,氧化硅膜淀積,氮化硅膜淀積,太陽能電池和其他光感器的非晶硅膜淀積等。


              3、離子注入氣體

              在半導體器件和集成電路制造中,離子注入工藝所用的氣體統稱為離子注入氣,它是把離子化的雜質(如硼、磷、砷等離子)加速到高能級狀態,然后注入到預定的襯底上。離子注入技術在控制閥值電壓方面應用得最為廣泛。注入的雜質量可以通過測量離子束電流而求得。離子注入氣體通常指磷系、砷系和硼系氣體


              4、蝕刻混合氣體

              蝕刻就是將基片上無光刻膠掩蔽的加工表面(如金屬膜、氧化硅膜等)蝕刻掉,而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來,以便在基片表面上獲得所需要的成像圖形。蝕刻方式有濕法化學蝕刻和干法化學蝕刻。干法化學蝕刻所用氣體稱為蝕刻氣體。蝕刻氣體通常多為氟化物氣體(鹵化物類),例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。


              5、化學氣相淀積混合氣體

              化學氣相淀積混合氣體(CVD)是利用揮發性化合物,通過氣相化學反應淀積某種單質或化合物的一種方法,即應用氣相化學反應的一種成膜方法。依據成膜種類,使用的化學氣相淀積(CVD)氣體也不相同。



              以上,便是關于半導體行業超高純電子特氣系統中運用最多,也最常用的5類電子混合氣介紹,感謝您的閱讀!


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